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產(chǎn)品中心

Product Center

當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心材料樣品處理小型濺射儀KT-Z1650PVD銅靶材鍍膜濺射儀

銅靶材鍍膜濺射儀

產(chǎn)品簡介

以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時(shí),不可避免地會(huì)引入硫、鉛等其他雜質(zhì)含量.微量的硫可以防止熱加工時(shí)晶粒尺寸增大或產(chǎn)生微裂紋;但當(dāng)硫元素含量高于18 ppm時(shí),會(huì)出現(xiàn)微裂紋;隨著兩種雜質(zhì)元素(硫和鉛),銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD為臺(tái)式磁控濺射鍍膜機(jī),儀器結(jié)構(gòu)緊湊,全自動(dòng)控制,設(shè)計(jì)符合人體工程學(xué),所得結(jié)果一致,可重復(fù)性高。

產(chǎn)品型號(hào):KT-Z1650PVD
更新時(shí)間:2024-03-29
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:2786
詳細(xì)介紹在線留言
品牌鄭科探濺射氣體根據(jù)需求氣體
樣品臺(tái)尺寸φ50mm控制方式觸摸屏智能控制
樣品倉尺寸φ160x160mm靶材尺寸50mm
靶材材質(zhì)金 鉑 銅 銀價(jià)格區(qū)間1-5萬
產(chǎn)地類別國產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域化工,電子

銅靶材Cu target 鄭科探小型磁控濺射靶材鍍膜銅膜料顆粒銅

以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時(shí),不可避免地會(huì)引入硫、鉛等其他雜質(zhì)含量.微量的硫可以防止熱加工時(shí)晶粒尺寸增大或產(chǎn)生微裂紋;但當(dāng)硫元素含量高于18 ppm時(shí),會(huì)出現(xiàn)微裂紋;隨著兩種雜質(zhì)元素(硫和鉛)含量的增加,靶材裂紋的數(shù)量和電弧放電的數(shù)量會(huì)增加.因此,應(yīng)盡可能降低靶材中的雜質(zhì)含量,以提高薄膜的均勻性。

 

銅靶材.jpeg
高純度銅靶材

 

銅靶材鍍膜濺射儀

 

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應(yīng)用領(lǐng)域:

離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛,通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象,并提高觀測效率,另外可以使用噴碳附件對(duì)樣品進(jìn)行蒸碳,實(shí)現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。

銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù);

 

控制方式

7寸人機(jī)界面 手動(dòng) 自動(dòng)模式切換控制

濺射電源

直流濺射電源

鍍膜功能

0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序

功率

≤1000W

輸出電壓電流

電壓≤1000V  電流≤1A

真空

機(jī)械泵 ≤5Pa(5分鐘)   分子泵≤5*10^-3Pa

濺射真空

≤30Pa

擋板類型

電控

真空腔室

石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm

樣品臺(tái)

可旋轉(zhuǎn)φ62  (可安裝φ50基底)

樣品臺(tái)轉(zhuǎn)速

8轉(zhuǎn)/分鐘

樣品濺射源調(diào)節(jié)距離

40-105mm

真空測量

皮拉尼真空計(jì)(已安裝 測量范圍10E5Pa  1E-1Pa)

預(yù)留真空接口

KF25抽氣口    KF16放氣口   6mm卡套進(jìn)氣口




 

 

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